TFT液晶屏的制造工藝有以下幾部分：在tft基板上形成tft陣列;在彩色濾光片基板上形成彩色濾光圖案及ito導電層用兩塊基板形成液晶盒;安裝外圍電路、組裝背光源等的模塊組裝。

　　1. 在tft基板上形成tft陣列的工藝 　現已實現產業化的tft類型包括：非晶硅tft(a-si tft)、多晶硅tft(p-si tft)、單晶硅tft(c-si tft)幾種。目前使用最多的仍是a-si tft。a-si tft的制造工藝是先在硼硅玻璃基板上濺射柵極材料膜，經掩膜曝光、顯影、干法蝕刻后形成柵極布線圖案。

　　一般掩膜曝光用步進曝光機。第二步是用pecvd法進行連續成膜，形成sinx膜、非摻雜a-si膜，摻磷n+a-si膜。然后再進行掩膜曝光及干法蝕刻形成tft部分的a-si圖案。第三步是用濺射成膜法形成透明電極(ito膜)，再經掩膜曝光及濕法蝕刻形成顯示電極圖案。第四步柵極端部絕緣膜的接觸孔圖案形成則是使用掩膜曝光及干法蝕刻法。

        第五步是將al等進行濺射成膜，用掩膜曝光、蝕刻形成tft的源極、漏極以及信號線圖案。最后用pecvd法形成保護絕緣膜，再用掩膜曝光及干法蝕刻進行絕緣膜的蝕刻成形，(該保護膜用于對柵極以及信號線電極端部和顯示電極的保護)。至此，整個工藝流程完成。

　　tft陣列工藝是tft-lcd制造工藝的關鍵,也是設備投資最多的部分。整個工藝要求在很高的凈化條件(例如10級)下進行。

　　2. 在彩色濾光片(cf)基板上形成彩色濾光圖案的工藝 彩色濾光片著色部分的形成方法有染料法、顏料分散法、印刷法、電解沉積法、噴墨法。目前以顏料分散法為主。

　　顏料分散法的第一步是將顆粒均勻的微細顏料(平均粒徑小于0.1μm)(r、g、b三色)分散在透明感光樹脂中。然后將它們依次用涂敷、曝光、顯影工藝方法，依次形成r. g. b三色圖案。在制造中使用光蝕刻技術，所用裝置主要是涂敷、曝光、顯影裝置。

　　為了防止漏光，在rgb三色交界處一般都要加黑矩陣(bm)。以往多用濺射法形成單層金屬鉻膜，現在也有改用金屬鉻和氧化鉻復合型的bm膜或樹脂混合碳的樹脂型bm。

　　此外，還需要在bm上制做一層保護膜及形成it0電極,由于帶有彩色濾光片的基板是作為液晶屏的前基板與帶有tft的后基板一起構成液晶盒。所以必須關注好定位問題，使彩色濾光片的各單元與tft基板各像素相對應。